Objetivo de farfulla de titanio Gr1 Gr2 Gr5

1.El material de destino

El material objetivo es el material objetivo bombardeado por partículas cargadas a alta velocidad. Hay metales, aleaciones, óxidos, etc. Reemplace diferentes materiales objetivo (como objetivos de aluminio, cobre, acero inoxidable, titanio, níquel, etc.), puede obtener diferentes sistemas de películas (como súper duras, resistentes al desgaste, película de aleación anticorrosión, etc.).

(1) Objetivos metálicos: objetivo de níquel, Ni, objetivo de titanio, Ti, objetivo de zinc, Zn, objetivo de cromo, Cr, objetivo de magnesio, Mg, objetivo de niobio, Nb, objetivo de estaño, Sn, objetivo de aluminio, Al, objetivo de indio, In , objetivo de hierro, Fe, objetivo de aluminio y circonio, ZrAl, objetivo de aluminio y titanio, TiAl, objetivo de circonio, Zr, objetivo de silicio y aluminio, AlSi, objetivo de silicio, Si, objetivo de cobre Cu, objetivo de tantalio T, a, objetivo de germanio, Ge, Plata objetivo, Ag, objetivo de cobalto, Co, objetivo de oro, Au, objetivo de gadolinio, Gd, objetivo de lantano, La, objetivo de itrio, Y, objetivo de cerio, Ce, objetivo de tungsteno, w, objetivo de acero inoxidable, objetivo de níquel-cromo, NiCr, Objetivo de hafnio, Hf, objetivo de molibdeno, Mo, objetivo de hierro-níquel, FeNi, objetivo de tungsteno, W, etc.

(2) Objetivos cerámicos: objetivo ITO, objetivo de óxido de magnesio, objetivo de óxido de hierro, objetivo de nitruro de silicio, objetivo de carburo de silicio, objetivo de nitruro de titanio, objetivo de óxido de cromo, objetivo de óxido de zinc, objetivo de sulfuro de zinc, objetivo de dióxido de silicio, un objetivo de óxido de silicio, objetivo de óxido de cerio, objetivo de dióxido de circonio, objetivo de pentóxido de niobio, objetivo de dióxido de titanio, objetivo de dióxido de circonio, objetivo de dióxido de hafnio, objetivo de diboruro de titanio, objetivo de diboruro de circonio, objetivo de trióxido de tungsteno, objetivo de óxido de aluminio, óxido de tantalio, objetivo de pentóxido de niobio, objetivo de fluoruro de magnesio , objetivo de fluoruro de itrio, objetivo de seleniuro de zinc, objetivo de nitruro de aluminio, objetivo de nitruro de silicio, objetivo de nitruro de boro, objetivo de nitruro de titanio, objetivo de carburo de silicio, objetivo de niobato de litio, objetivo de titanato de praseodimio, objetivo de titanato de bario, objetivo de titanato de lantano, objetivo de óxido de níquel, pulverización catódica objetivo, etc

2. Los principales requisitos de desempeño del objetivo.

(1) Pureza

La pureza es uno de los principales indicadores de rendimiento del objetivo, porque la pureza del objetivo tiene una gran influencia en el rendimiento de la película. Sin embargo, en aplicaciones prácticas, los requisitos de pureza de los materiales objetivo también son diferentes. Por ejemplo, con el rápido desarrollo de la industria microelectrónica, el tamaño de las obleas de silicio ha aumentado de 6 ", 8" a 12 ", y el ancho del cableado se ha reducido de 0.5um a 0 .25um, 0.18um o incluso 0.13um, la pureza objetivo anterior del 99,995% puede cumplir con los requisitos técnicos de 0.35umIC y la preparación de 0 Las líneas de .18um requieren 99,999% o incluso 99,9999% para la pureza del objetivo.

(2) Contenido de impurezas

Las impurezas en el sólido objetivo y el oxígeno y el vapor de agua en los poros son las principales fuentes de contaminación de la película depositada. Diferentes objetivos tienen diferentes requisitos para diferentes contenidos de impurezas. Por ejemplo, los objetivos de aluminio puro y aleaciones de aluminio utilizados en la industria de semiconductores tienen requisitos especiales en cuanto a contenido de metales alcalinos y elementos radiactivos.

(3) Densidad

Para reducir los poros en los sólidos del objetivo y mejorar el rendimiento de la película pulverizada, normalmente se requiere que el objetivo tenga una mayor densidad. La densidad del objetivo no sólo afecta la velocidad de pulverización, sino que también afecta las propiedades eléctricas y ópticas de la película. Cuanto mayor sea la densidad objetivo, mejor será el rendimiento de la película. Además, aumentar la densidad y la resistencia del objetivo le permite resistir mejor el estrés térmico durante la pulverización catódica. La densidad es también uno de los indicadores clave de desempeño del objetivo.

(4) Tamaño de grano y distribución granulométrica

El material objetivo suele ser policristalino y el tamaño del grano puede ser del orden de micras a milímetros. Para el mismo material objetivo, la velocidad de pulverización del objetivo con granos finos es más rápida que la del objetivo con granos gruesos; el espesor de la película depositada mediante pulverización catódica del objetivo con una pequeña diferencia en el tamaño de grano (distribución uniforme) es más uniforme.

3. Materiales

(1) Titanio puro: GR1 GR2

(2) Aleación de titanio: titanio Gr5, titanio aluminio TiAl, titanio níquel TiNi, titanio cromo TiCr, titanio circonio TiZr, cobre titanio TiCu, etc.

(3)Otros materiales: objetivos de pulverización catódica de circonio, objetivos de pulverización catódica de cromo, objetivos de pulverización catódica de tungsteno, objetivos de pulverización catódica de cobre, etc.

4. Propósito

Se utiliza ampliamente en revestimientos decorativos, revestimientos resistentes al desgaste, CD y VCD en la industria electrónica, así como en diversos revestimientos de discos magnéticos.

Las películas de tungsteno-titanio (W-Ti) y las películas de aleación a base de tungsteno-titanio (W-Ti) son películas de aleaciones de alta temperatura con una serie de excelentes propiedades irremplazables. El tungsteno tiene propiedades como alto punto de fusión, alta resistencia y bajo coeficiente de expansión térmica. La aleación W/Ti tiene un bajo coeficiente de resistencia, buena estabilidad térmica y resistencia a la oxidación. Varios dispositivos requieren cableado metálico que desempeñe un papel conductor, como Al, Cu y Ag, que se han utilizado e investigado ampliamente. Sin embargo, el propio metal del cableado se oxida fácilmente, reacciona con el entorno circundante y tiene poca adherencia a la capa dieléctrica. Es fácil de difundir en los materiales del sustrato de dispositivos como Si y SiO2, y formará metal y Si a una temperatura más baja. Los compuestos que actúan como impurezas degradan enormemente el rendimiento del dispositivo. La aleación W-Ti es fácil de usar como barrera de difusión de cableado debido a sus propiedades termomecánicas estables, baja movilidad de electrones, alta resistencia a la corrosión y estabilidad química, especialmente adecuada para su uso en entornos de alta corriente y alta temperatura.

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